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美光正式送样业界高容量SOCAMM2模组，满足AI数据中心对低功耗<span style='color:red'>DRAM</span>的需求

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美光正式送样业界高容量SOCAMM2模组，满足AI数据中心对低功耗DRAM的需求

　　2025年10月23日，爱达荷州博伊西市——在当今时代，人工智能(AI)实现了前所未有的创新和发展，整个数据中心生态系统正在向更节能的基础设施转型，以支持可持续增长。随着内存在AI系统中逐渐发挥越来越重要的作用，低功耗内存解决方案已成为这一转型的核心。美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布其192GB SOCAMM2(small outline compression attached memory modules，小型压缩附加内存模块)已正式送样，以积极拓展低功耗内存在AI数据中心的广泛应用。2025年3月，美光发布了业界首款LPDRAM SOCAMM，而新一代SOCAMM2则在此基础上实现了功能的进一步拓展，在相同的规格尺寸中实现50%的容量提升，增加的容量可以将实时推理工作负载中首个token生成时间(TTFT)显著缩短80%以上1。192GB SOCAMM2采用美光领先的1-gamma DRAM制程技术，能效提高20%以上2，有助于实现大型数据中心集群的电源设计优化。这一能效提升在全机架AI安装中尤为显著，可配置超过50TB的CPU附加低功耗DRAM主存储3。SOCAMM2的模块化设计提升了可维护性，并为未来的容量扩展奠定了基础。　　基于与NVIDIA的五年合作，美光率先将低功耗服务器内存引入数据中心使用。SOCAMM2为AI系统的主存储带来了LPDDR5X超低功耗和高带宽的内在优势。SOCAMM2的设计旨在满足大规模AI平台不断扩展的需求，提供AI工作负载所需的高数据吞吐量，同时实现新的能效水平，并为AI训练和推理系统设定新标准。这些优势的结合将使SOCAMM2成为未来几年业界领先AI平台的关键内存解决方案。　　美光资深副总裁暨云端内存事业部总经理Raj Narasimhan表示：“随着AI工作负载变得更加复杂而严苛，数据中心服务器必须提升效率，为每瓦特的功率提供更多tokens。凭借在低功耗DRAM领域公认的领先地位，美光能确保我们的SOCAMM2模块提供所需的数据吞吐量、能效、容量和数据中心级别的品质，这些对于驱动下一代AI数据中心服务器至关重要。”　　通过专门的设计功能和增强测试，美光SOCAMM2产品从最初为手机设计的低功耗DRAM升级为数据中心级解决方案。多年来，美光在高质量数据中心DDR内存方面的丰富经验，使SOCAMM2具备满足数据中心高标准应用所需的质量与可靠性。　　与同等能效的RDIMM相比，SOCAMM2模块的能效提高了三分之二以上4，同时将其性能封装到三分之一大小的模块中5，不仅优化了数据中心占地面积，还最大限度地提高了容量和带宽。SOCAMM的模块化设计和创新的堆叠技术提高了可维护性，并有助于液冷服务器的设计。　　美光一直是JEDEC SOCAMM2规范制定的积极参与者，并与行业合作伙伴密切合作，共同推动标准演进，加快AI数据中心的低功耗应用，以助力整个行业的能效提升。目前，SOCAMM2样品已送样客户，单一模组容量高达192GB，速率达9.6 Gbps，后续量产作业将配合客户的产品推出日程规划。　　1经美光内部测试验证的性能提升：使用LMCache GH200 NVL2平台(288GB HBM3E+1TB LPDDR5x)上的Llama 3 70B模型进行推断，OSL=128。　　2 与美光的上一代LPDDR5X相比。　　3 基于已公布的NVL144机架系统容量数据。　　4 与两个128GB、128位总线宽度的DDR5 RDIMM模组相比，基于一个128GB、128位总线宽度的SOCAMM2模组的功耗(瓦特)计算。　　5 计算将SOCAMM2的面积(14 x 90mm)与标准服务器RDIMM进行对比。

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美光

发布时间：2025-10-29 15:04 阅读量：307 继续阅读>>

服务器<span style='color:red'>DRAM</span>暴涨50%！

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服务器DRAM暴涨50%！

　　由于人工智(AI)热潮所带来的服务器DRAM需求持续增长，DRAM市场的供应已经失衡，这也导致DRAM价格持续上涨。　　据台媒《电子时报》(DigiTimes)报道，美国和中国的主要超大规模云端企业目前只收到了他们订购的70%的服务器DRAM。与此同时，他们采购的DRAM价格也上涨了50%，远高于今年早些时候预计的30%的涨幅。　　目前AI数据中心所需的AI加速器对于HBM需求量很大、利润也更高，这也使得SK海力士、三星等头部DRAM大厂纷纷将更多的产能转向了生产HBM，而每产出一份HBM更是需要消耗三份的DDR产能，这也导致了对于包括消费类DDR内存在内其他类型DDR需求的排挤。即便是数据中心对于传统的DDR5 RDIMM 的需求也超过了供应。　　相关报道显示，三星最近已将服务器SSD价格提高了35%，RDIMM 合同费率提高了50%，理由是企业和云客户的持续需求超过了供应。　　自9月下旬以来，DRAM现货价格也在持续飙升。报道称，几家顶级供应商拒绝为10月份的分配报价。上个月交易价格为7至8美元的DDR5 16GB模块现在价格已经徘徊在13美元左右，供应将进一步收紧到11月。DRAM模组制造商正在为本季度末的缺货情况做好准备。　　其他市场表现更糟。DRAM渠道参与者和小型原始设备制造商的订单履行率只有接近35%至40%。随着超大规模企业锁定固定DRAM分配，优先级较低的客户被推到价格更高的现货市场，或被告知等到2026年才能获得一定的供应。　　美光在最近的财报电话会议上对此发出警告，DRAM 是一个“紧张的行业”，DRAM容量供应增长将滞后于2026年年底的需求。市场研究机构TrendForce指出，随着供应商转向中国的日常定价，并避免将自己锁定在糟糕的交易中，某些DRAM模块的报价可能会被冻结。这导致零售 DDR5 价格攀升，在年底前没有稳定的迹象。　　与此同时，DDR4价格正在缓慢下降。中国南亚科技最近表示，标准DDR4仅占DRAM市场总量的20%，不再优先量产。除非需求意外降温或收益率大幅提高，否则到2026 年，除顶级买家外的所客户的 DRAM 分配将受到限制。这也推动了客户加速转向DDR5。　　《电子时报》预测，明年服务器内存半导体需求将保持强劲，这可能导致DRAM短缺持续到年底。该报告还预测，即使供需缺口逐渐缩小，未来一到两年内，内存半导体制造商的供应能力也可能低于需求10%以上。

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DRAM

发布时间：2025-10-29 14:20 阅读量：417 继续阅读>>

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高性能、DRAM-less设计、兼容主流CPU/操作系统，佰维存储A系列PCIe 4.0 SSD赋能PC OEM市场

　　根据CFM闪存市场数据，2023年大容量PC SSD应用显著提升，其中PCIe 4.0 SSD市场渗透率大幅增长至50%以上，1TB PCIe 4.0 SSD成为PC市场主流配置。面向PC OEM前装市场，佰维存储推出了采用DRAM-less设计的A系列PCIe 4.0 SSD，产品顺序读写速度分别高达7100MB/s、6600MB/s，容量高达4TB，MTBF高达150小时，兼容主流CPU平台与操作系统，赋能台式机、笔记本电脑、一体机高效稳定运行。　　更高性能：自研与优化固件功能，DRAM-less设计、支持HMB技术　　PC系统的安装、升级，游戏加载、高清视频观看、协同办公、智慧教育等应用均需要高性能存储器的支持，以实时处理高负载、多线程的不同数据传输任务，实现各种指令快速响应和反馈，保障人机流畅交互。　　A系列PCIe 4.0 SSD在SLC加速、智能温控、关键数据备份、低功耗、RAID、安全擦除、安全升级、安全启动、安全分区等方面进行了固件功能自研与优化，兼顾高性能、低功耗以及安全性的要求。产品采用DRAM-less设计且支持HMB技术，兼顾优异读写性能、降低BOM成本，顺序读写速度分别高达7100MB/s、6600MB/s，相较公司PCIe 3.0 SSD提升100%，且产品随机读写速度分别高达1070K IOPS、980K IOPS，加速电脑指令响应，带来畅快使用体验。同时，产品容量高达4TB，支持GB级别视频观看、百GB级别游戏大作体验，避免卡顿。　　严苛测试，数据可靠存储　　长时间办公、游戏、娱乐，PC可能面临无法开机、死机、设备过热硬件损坏等问题，要求存储器高度可靠，以快速应对设备异常，确保PC数据完整可靠存储。　　A系列PCIe 4.0 SSD遵循固件测试、系统级测试、可靠性测试、兼容性测试、硬件测试等严苛测试流程：固件测试围绕各个前端接口协议、FTL功能、后端功能等细颗粒度的对点测试，进行功能验证;系统级测试聚焦用户体验，从用户应用终端层面，模拟各种IO模型、断电以及各种工作场景下的多模块混合测试，进行功能性检验;可靠性测试模拟在不同环境条件下对SSD产品进行测试，覆盖环境可靠性、物理可靠性、FA辅助分析、环保测试等模块。　　同时，公司自研automation自动化测试系统，可实现测试用例管理、版本测试任务自动分发测试等功能，累积了2000+自动测试脚本。经过多重严苛筛选测试，产品MTBF高达150小时，提供3年质保，护航电脑长时间持续、稳定工作。此外，产品通过了CE、EMC、FCC、ROHS、UKCA等安规和环保认证，符合主要国家和地区的市场准入标准。　　优良兼容性，适配主流平台与操作系统　　基于长期的技术研发积累和智能化的生产测试体系，A系列PCIe 4.0 SSD凭借出色的性能、功耗和可靠性表现，适配Intel、AMD等主流平台，以及Win10、Win11、Linux等操作系统，满足PC OEM厂商在不同平台上的兼容性导入要求，目前产品已进入国内外知名PC厂商供应链。同时，公司是国产信创PC SSD的主力供应商，产品适配龙芯、鲲鹏、飞腾、兆芯、海光、申威等国产CPU平台以及统信UOS、麒麟KOS等国产操作系统，满足整机或系统集成方案不同需求。此外，公司通过BOM锁定、产品全生命周期管理等保证产品供货的稳定性与质量的一致性，并可提供完善的售后服务。　　佰维存储A系列PCIe 4.0 SSD兼顾高性能、大容量、高可靠性、优良兼容性、稳定供应等优势，满足PC OEM前装市场需求。随着AI PC兴起，“CPU+GPU+NPU”计算架构及AI模型本地化要求更高算力和传输速度支持，对即时存储数据提出更高性能和带宽、更大存储容量需求。依托研发封测一体化优势，佰维持续发力存储产品升级和新产品开发，积极赋能新兴终端存储创新应用，目前公司A系列PCIe 4.0 SSD、DDR5 SODIMM/UDOMM等产品亦可适用于AI PC领域。

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佰维存储

发布时间：2024-05-16 09:18 阅读量：2987 继续阅读>>

SK海力士考虑新建<span style='color:red'>DRAM</span>工厂应对需求增长

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SK海力士考虑新建DRAM工厂应对需求增长

　　除了最近宣布的M15X计划之外，SK海力士还在考虑建设一家新的内存工厂，对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。　　据报道，该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产，预计今年内存芯片需求将大幅增长。一名要求匿名的半导体行业高级官员表示，“我们了解到，他们不仅对在韩国建立新基地的可能性持开放态度，也对在美国乃至其他地区建立新基地持开放态度。”　　当地时间 24 日，SK 海力士宣布在韩国清州 M15X 工厂安装新的 DRAM 设施。SK 海力士光是在这家工厂就已经投资了 20 万亿韩元(当前约 1054 亿元人民币)，目标是明年 11 月启动产线。　　据悉，M15X 工厂将配备最新的半导体设备，包括一台极紫外线(EUV)光刻机，用于生产 10 纳米第五代 D-RAM 及更先进的产品。如果 SK hynix 确认追加投资，这将是继龙仁集群、美国印第安纳先进封装厂和 M15X 之后的又一项重大投资。　　此前，SK 海力士 CEO 郭鲁正曾表示：“M15X 将成为向全世界提供 AI 应用存储器的核心设施，也是公司迈向未来的垫脚石，我确信此次投资不仅有助于公司，还会对国家经济的未来发展作出贡献。”

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海力士

发布时间：2024-04-29 15:21 阅读量：913 继续阅读>>

三星发布其首款36GB HBM3E 12H <span style='color:red'>DRAM</span>

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三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM

　　三星电子宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。目前，三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，预计于今年下半年开始大规模量产。　　据介绍，三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。相比HBM3 8H，HBM3E 12H搭载于人工智能应用后，预计人工智能训练平均速度可提升34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍¹。　　HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。据悉，HBM3E 12H产品的垂直密度比其HBM3 8H产品提高了20%以上。　　三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示，当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而新产品HBM3E 12H正是为了满足这种需求而设计的，这一新的存储解决方案是公司研发多层堆叠HBM核心技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。

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三星

发布时间：2024-02-29 14:18 阅读量：2171 继续阅读>>

佰维发布CXL 2.0 <span style='color:red'>DRAM</span>，赋能高性能计算

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佰维发布CXL 2.0 DRAM，赋能高性能计算

　　导语：CXL是一种开放式全新互联技术标准，可在主机处理器与加速器、内存缓冲区、智能I/O设备等设备之间提供高带宽、低延迟连接，从而满足高性能异构计算的要求，并且其维护CPU/GPU内存空间和连接设备内存之间的一致性，突破内存墙瓶颈，缩减整体响应时间。此外，CXL支持部署新的内存层，可以弥合主内存和SSD存储之间的延迟差距。　　随着AI应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和电气接口之上，CXL内存扩展功能可在服务器中的直连DIMM插槽之外实现额外的内存容量和带宽，支持内存池化和共享，满足高性能CPU/GPU的算力需求。　　近日，佰维成功研发并发布了支持CXL 2.0规范的CXL DRAM内存扩展模块。佰维CXL 2.0 DRAM采用EDSFF(E3.S)外形规格，内存容量高达96GB，同时支持PCIe 5.0×8接口，理论带宽高达32GB/s，可与支持CXL规范及E3.S接口的背板和服务器主板直连，扩展服务器内存容量和带宽。同时，佰维可针对无E3.S接口的服务器背板提供CXL AIC转接卡。　　佰维CXL 2.0 DRAM的特点和优势　　1搭载高性能内存扩展控制器，遵循CXL2.0 Type3标准，支持PCIe5.0x8接口，理论带宽高达32GB/s。　　2严选优质DDR5内存颗粒，容量高达96GB。　　3支持On-Die ECC、Side-Band ECC、SDDC、SECDED等功能。　　4允许多达16台主机同时访问内存的不同部分，支持内存池化共享。　　5同步开源发布CXL DRAM软件工具包，以确保用户无障碍部署CXL扩展内存。工具包特点：可提供CXL的显示，隐式API，客户可根据不同应用场景进行使用;可提供应用层级的CXL的numa工具使用方法，建立应用层级对CXL的直观感受。　　Latency性能方面，在实际测试中，佰维CXL 2.0 DRAM挂载于node 2节点，与挂载于node 0节点的CPU存取Latency为247.1ns，带宽超过21GB/s，Latency性能优异，赋能数据高速处理。　　人工智能(AI)和机器学习(ML)对高速数据处理的需求持续增长，佰维CXL 2.0 DRAM兼具支持内存容量和带宽扩展、内存池化共享、高带宽、低延迟、高可靠性等特点，赋能AI高性能计算。目前，佰维可为客户和合作伙伴提供32GB~96GB CXL 2.0 DRAM的功能样机，进行联合评估和测试。未来，佰维将持续关注CXL技术，赋能高性能计算需求。　　延伸：AIC转接卡　　针对无E3.S接口的服务器背板，佰维可提供AIC转接卡，助力服务器实现CXL RDIMM内存扩展。

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佰维

发布时间：2023-12-27 14:04 阅读量：1915 继续阅读>>

全球存储市场2024年复苏！钰创：<span style='color:red'>DRAM</span>最坏情况已过

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全球存储市场2024年复苏！钰创：DRAM最坏情况已过

　　据台媒《工商时报》报道，钰创指出，今年来DRAM产业皆处于修正状态，随着大厂积极持续减产及库存逐渐去化，已度过最坏的时期，根据多家知名研调机构数据，皆预估2024年全球DRAM市场将迎来复苏。　　钰创9日举行法说会，该公司第三季税后亏损2.76亿元（新台币，下同），每股亏损0.96元，累计前三季税后亏损6.35亿元，累计每股亏损2.2元。钰创同日公告10月营收2.21亿元，月减1.07％，年减13.31％；累计前十月合并营收21.85亿元，年减48.64％。　　钰创指出，随着DRAM库存消化告一段落，加上大厂积极减产，市场供需渐趋平衡，将迎向新一波复苏。据国外研调机构Garnter的预测，2024年DRAM市场整体营收展望，将较2023年显著成长，年增幅度达88％。

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存储

发布时间：2023-11-15 13:31 阅读量：2164 继续阅读>>

三星电子发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 <span style='color:red'>DRAM</span>产品

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三星电子发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

　　三星电子宣布该公司已采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，并计划于今年年底开始量产。　　通过使用最新开发的 32Gb 内存颗粒，即使不使用硅通孔 (TSV) 工艺也能够生产 128GB 内存模组。与使用 16Gb 内存封装的 128GB 内存模组相比，其功耗降低了约 10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。　　以 12 纳米级 32Gb DDR5 DRAM 为基础，三星计划继续扩充大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和 IT 行业持续增长的需求。通过向数据中心，以及采用人工智能和下一代计算等应用的客户提供 12 纳米级的 32Gb 内存，三星希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。未来，该产品还将在三星与其他核心行业伙伴的长期合作中发挥至关重要的作用。

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三星电子

发布时间：2023-09-04 10:59 阅读量：2803 继续阅读>>

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三星电子宣布12nm级16Gb DDR5 DRAM已开始量产

　　5月20日消息，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺，再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。　　与上一代产品相比，三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圆生产率提高了20%。出色的能效表现，使它能够成为全球IT企业的服务器和数据中心节能减排的优秀解决方案。三星12纳米级工艺技术的开发基于一种新型高κ材料，这种新型材料有助于提高电池电容。高电容使数据信号出现明显的电位差，从而更易于准确地区分。同时，三星在降低工作电压和噪声方面的成果，也让此解决方案更加适用于客户公司的需求。　　三星12纳米级DDR5 DRAM最高可支持7.2吉比特/秒（Gbps）的速度，相当于每秒可处理大约两部30GB的超高清电影。三星为满足客户需求将持续扩大12纳米级DRAM的产品阵容，以支持越来越多的应用，助力数据中心、人工智能在内的下一代计算。　　三星在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM与AMD的兼容性评估，并将继续与全球IT公司合作，推动下一代DRAM市场的创新。

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三星

发布时间：2023-05-22 10:51 阅读量：2592 继续阅读>>

SK海力士<span style='color:red'>DRAM</span>厂氢氟酸泄露！3人受伤

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SK海力士DRAM厂氢氟酸泄露！3人受伤

▎7日从韩媒获悉，4月6日上午，SK海力士利川M16工厂有3名工人在检查设备的过程中因毒性物质氟酸泄露受伤。据悉，M16工厂DRAM生产工厂...根据SK海力士和消防当局6日的说法，当日上午11时34分许，3名工作人员在京畿道利川市SK hynix的 M16工厂5楼的设备进行检查期间，发生氢氟酸泄漏事故，3名员工因毒性物质氟酸泄露受伤，其中1名员工胳膊和腿部被烧伤，另2名员工则不慎吸入氟酸气体被立即送往医院，3人均无生命危险。公开资料显示，氢氟酸（Hydrofluoric Acid）是氟化氢气体的水溶液，清澈，无色、发烟的腐蚀性液体，有剧烈刺激性气味。氢氟酸是一种弱酸，具有极强的腐蚀性，能强烈地腐蚀金属、玻璃和含硅的物体。如吸入蒸气或接触皮肤会造成难以治愈的灼伤。SK hynix表示:“此次事故是在检查M16新工厂的机器的过程中发生的，对半导体生产没有影响。”值得庆幸的是， 3名受伤的工人在被送医急救之后已无大碍。据悉，本次发生氢氟酸外泄事件的M16工厂是 SK hynix 新建成的一座工厂，据官网资料显示，M16工厂在2018年的11月动工，总投资金额达3.5万亿韩元，历时2年建成，到今年2月1日才举行了完工典礼。M16工厂还引进了极紫外光曝光机 (EUV) 进入产线，将主要用于生产 DRAM 产品。目前M16工厂正在进行最后一批生产设备的装机与测试工作，为202年下半年的正式量产做准备。韩媒猜测，此次化学品外泄事件发生是意外事件。至于真正的化学品泄漏原因，SK hynix表示将积极协助当地消防局做进一步调查。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！

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SK海力士

发布时间：2021-04-08 00:00 阅读量：1997 继续阅读>>

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